三星V10 BV-NAND有望支撑PCIe Gen7固态硬盘

IT时代网9月1日消息，三星半导体在FMS 2026峰会相关采访中表示，新发布的V10 BV-NAND不仅可支持128TB大容量固态硬盘，也有望用于下一代PCIe Gen7固态硬盘。

V10 BV-NAND采用3D Bonded-VNAND架构，分别在两片晶圆上构建存储单元与外围电路，再以晶圆键合工艺组合；完整存储单元由三个高深宽比堆栈结合而成，累计达到400层以上。三星称，独立构建存储单元与外围电路能最大化外围器件性能，并通过电路设计发挥增强特性，实现高性能和低功耗。

该芯片还综合应用多孔、零假孔、低电压、电源隔离低抽头终端等技术，最终在位密度、I/O速率、功耗上分别实现58%、33%、25%的改进。

注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。