长鑫存储启动HBM3E内存风险试产

IT时代网8月31日消息，据外媒报道，长鑫存储已启动HBM3E内存的风险试产。报道称，长鑫当前计划扩大产能，到今年年底DRAM制造能力有望达到每月35万片晶圆，未来几年还会继续爬坡。

现阶段长鑫的HBM3E生产规模仍很有限，意味着刚迈入风险试产阶段。按JEDEC规范，HBM3E采用1024-bit位宽，单引脚速率介于9.2Gbps至12.4Gbps，典型配置9.6Gbps下总带宽可达1.2TB/s；8层堆叠时单堆栈容量24GB，12层堆叠可达36GB。

考虑到长鑫此前从风险试产过渡到量产的速度，其HBM3E有可能在数周内进入大规模量产。另一个加分项是晶圆厂洁净室的建设效率——它建一座洁净室只需12个月，业内同行普遍要花两年。

注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。