英特尔14A制程缺陷密度曲线优于22nm以来

IT时代网8月28日消息，在德意志银行2026年技术大会上，英特尔首席财务官David Zinsner表示，即将推出的Intel 14A制程拥有自22纳米节点以来最优的缺陷密度曲线。他同时强调，14A在缺陷密度与晶体管性能上均超越现有的18A同期水平。

英特尔近期多次调整14A路线图：今年5月，CEO陈立武给出的规划是2028年风险试产、2029年量产；到7月财报会议，时间表已提前至2027年下半年风险试产、2028年全面量产。目前0.5版本PDK已向客户开放，0.9版本预计今年10月发布。技术上，14A将采用第二代RibbonFET、PowerDirect背部供电以及ASML High-NA EUV光刻设备。

先进封装方面，英特尔的EMIB-T技术预计2027年大规模量产，通过在基板嵌入硅桥实现高密度互连，并新增硅通孔让芯片直接从基板取电，单封装可支撑数千瓦级功耗。博通、Meta等客户正评估将原定台积电CoWoS方案的部分项目转至EMIB平台，英特尔已为谷歌2027年AI芯片完成EMIB-T封装验证，良率达90%。为支撑代工业务，亚利桑那、俄勒冈与俄亥俄的工厂正同步推进建设与试产准备。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。