SK海力士美国HBM封装基地奠基2029量产

IT时代网8月28日消息，SK 海力士当地时间 27 日在美国印第安纳州西拉斐特举行了面向 AI 的存储器先进封装生产基地奠基仪式。这座后端工艺晶圆厂总投资额将超过 40 亿美元（现汇率约合 269.49 亿元人民币），预计于 2028 年 10 月完成无尘室建设，并于 2029 年下半年启动新一代 HBM 量产，总员工数量有望超过 1000 名。

由于 SK 海力士在美国没有前端 DRAM 晶圆产能，印第安纳州封装基地将使用在韩国生产的先进晶圆。SK 海力士还将与生产线同步构建“先进封装研发测试床”，以便与客户、大学及商业合作伙伴共同开发下一代封装技术，并能够快速推进原型试制与性能验证。

此外，SK 海力士还与普渡大学签署了研发合作谅解备忘录，强化产学研协同。

注：本文综合自IT之家等，文中包含AI辅助创作的内容。