马斯克暗示Terafab晶圆厂将采用FEL光源

IT时代网8月12日消息，埃隆·马斯克主导的“Terafab”计划，可能会换一种全新的EUV光源方案。他在社交平台回应相关帖子时写下“自由电子激光器万岁”，表达了对这项技术的支持。

目前业内主要依赖激光产生等离子体（LPP）光源，用高功率激光轰击高速移动的锡液滴，产生13.5纳米波长的EUV光。这套技术有两个短板：输入电能只有约0.1%转化为EUV输出；锡液滴被轰击时产生碎屑与污染物，增加维护负担。

自由电子激光器（FEL）不依赖等离子体，而是用高能电子束直接产生光线。电子被加速到接近光速，经交替磁铁释放出集中光束，调节能量与磁铁间距就能得到13.5纳米波长，理论上还能延伸到6.x纳米。

FEL不用锡液滴，可避免污染、降低损耗与停机时间，功耗也更低——LPP每产生1千瓦EUV光约需4.4兆瓦输入，FEL理论值约0.7兆瓦。难点在体积庞大，传统晶圆厂难以容纳，而Terafab本就是超大规模设施，反而适合集中部署FEL-EUV系统。

眼下还没有成熟的FEL光源供应商，最知名的相关初创之一是xLight，由美国政府参与投资，董事长是前英特尔CEO帕特·基辛格，其原型机最快也要到2028年才能交付。另一方面，无论Terafab选哪种光源，完整光刻系统还需要光学、掩模版与控制系统，这些仍是ASML的核心优势，台积电与三星也在持续扩产，Terafab的量产之路绕不开现有产业链。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。