SK海力士确认V10闪存采用375层堆叠设计

IT时代网8月7日消息，SK海力士在FMS 2026峰会的新闻稿中确认，继321层的V9"4D NAND"之后，新一代闪存产品V10将采用375层堆叠设计。这也是该公司首款采用晶圆键合技术的NAND产品。

层数往上堆只是表象，能效才是这一代的重点。SK海力士称，V10 NAND实现了上代产品2.5倍的每瓦性能，专门针对既要兼顾能效又要兼顾性能的AI基础设施环境做了优化。基于V10 NAND的企业级固态硬盘，计划在2027年上半年量产。

现场展示的东西不少。除了V10 1Tb TLC晶圆，还有两款成品颗粒：32DP 2CH型号堆叠了32个NAND Die，是首款采用类似封装的TLC产品；4通道封装版本的面积压到13.5mm×12.5mm，比传统的14mm×18mm更为小巧。对空间寸土寸金的移动设备来说，这点尺寸差别不算小事。

移动端产品线也有更新。SK海力士展出了基于V9H 1Tb TLC NAND的UFS 5.0解决方案UG500，提供512GB和1TB两种容量，能效相比UFS 4.1改进19%。同场展出的还有基于1c nm 16Gb Die的LPDDR6颗粒。

消费级方面，该公司首款主打性价比的PCIe Gen5 QLC固态硬盘PQF02亮相。这款产品基于V9 QLC NAND，提供1TB和2TB两个版本，采用4通道主控，支持从2230到2280的多种M.2外形规格。

存储厂商这两年的技术路线越来越清晰：一边靠堆叠层数扩容量，一边靠新工艺压能耗。AI服务器的胃口大，对每瓦性能的敏感度远超消费级市场，这也是各家把发布会重心往企业级挪的原因。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。