铠侠与闪迪推出第十代332层QLC闪存

IT时代网8月5日消息，铠侠株式会社宣布，与闪迪公司共同推出下一代四层单元（QLC）3D闪存技术。对比双方的第八代产品，新一代最高可实现60%的位密度提升，超过37Gb/mm²。

技术路线上，第十代QLC NAND用的是双方自研的CMOS直接键合阵列（CBA）架构。简单说，CMOS逻辑电路和存储阵列不再挤在同一张晶圆上制造，而是分开生产，再通过高精度的晶圆对晶圆工艺键合到一起。

带宽这块提升明显。新产品接口速率达到4.8Gb/s，按双方的说法，这是业界首款跑到该速率的QLC 3D NAND闪存技术。

堆叠层数方面，第十代产品采用332层NAND堆叠，配合Toggle DDR6.0接口与独立命令地址协议（SCA），把位密度往上推了60%。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。