英特尔合作开发 ZAM 内存获日本政府补贴

4 月 24 日消息，软银集团旗下子公司 SAIMEMORY 正与英特尔合作开发 ZAM 内存。

SAIMEMORY 称日本新能源产业技术综合开发机构已选定该技术开发项目作为政府补贴对象，补贴可能覆盖该项目绝大部分研发成本。另外，该项目已经入选 NEDO 的后 5G 基础设施强化研发计划。

ZAM 是一种面向 AI 内存技术的潜在下一代替代方案，它在结构上对传统 DRAM 进行了重新设计。与 HBM 采用的常规堆叠键合方式不同，ZAM 提出了一种垂直内存架构，采用不同的空间排布以及非接触式层间互连，从而通过减少物理约束改善散热特性。SAIMEMORY 称，与传统 HBM 相比，该设计可带来更高的有效密度、更大带宽，功耗降低约 40%。 （IT之家）

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